| 释义 |
英语缩略词“RTCVD”经常作为“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”的缩写来使用，中文表示：“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”。本文将详细介绍英语缩写词RTCVD所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词RTCVD的分类、应用领域及相关应用示例等。
“RTCVD”（“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition）释义 - 英文缩写词：RTCVD
- 英文单词：Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
- 缩写词中文简要解释：Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
- 缩写词分类：Academic & Science
- 缩写词领域：Electronics
以上为Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition英文缩略词RTCVD的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词RTCVD的扩展资料-
以 SSP 为 衬底 ， 采用 快速 热化学 气 相 沉积 （ RTCVD ） 法 生长 多晶硅 薄膜 ， 并 以此 制作 出 效率 为 293% 的 颗粒 硅 带 多晶硅 薄膜 太阳 电池 ， 这 在 国内 属 首先 。
ThepolycrystallinethinfilmsweregrownbyRapidThermalChemicalVaporDeposition(RTCVD)onSSPribbons,andthepolycrystallinesiliconthinfilmsolarcellonSSPsubstratewasprepared.Theefficiencyofthecellreaches293%.
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多晶硅 薄膜 的 快速 热化学 气 相 沉积
Rapidthermalchemicalvapordepositionofpolycrystallinesiliconthinfilms
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在 重 掺杂 非 活性 单晶硅 片 上 生长 一定 厚度 的 SiO2 ， 开 窗口 后 作为 衬底 ， 利用 快速 热化学 气 相 沉积 （ RTCVD ） 及 区 熔 再 结晶 （ ZMR ） 方法 制 备 多晶硅 薄膜 太阳 电池 。
AftergrowingSiO2layerwithacertainthicknessonheavydiffusioninactiveCSiwafer,openingwindows,thenfabricatingpolycrystallinesiliconthinfilmsolarcellsonitwithRapidThermalChemicalVaporDeposition(RTCVD)andZoneMeltRecrystallization(ZMR)method.
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采用 新近 研制 的 高 真空 / 快速 热 处理 / 化学 气 相 淀积 （ HV/RTP/CVD ） 系统 生长 了 应变 SiGe 材料 。
ThestrainedSiGematerialhasbeengrownbyusingthenewlydevelopedHighVacuum/RapidThermalProcessing/ChemicalVaporDeposition(HV/RTP/CVD)system.
上述内容是“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”作为“RTCVD”的缩写，解释为“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”时的信息，以及英语缩略词RTCVD所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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