“SCE”是“Short Channel Effect”的缩写，意思是“短通道效应”


    英语缩略词“SCE”经常作为“Short Channel Effect”的缩写来使用，中文表示：“短通道效应”。本文将详细介绍英语缩写词SCE所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词SCE的分类、应用领域及相关应用示例等。
    “SCE”（“短通道效应）释义
  • 英文缩写词：SCE
  • 英文单词：Short Channel Effect
  • 缩写词中文简要解释：短通道效应
  • 中文拼音：duǎn tōng dào xiào yìng
  • 缩写词流行度：2708
  • 缩写词分类：Academic & Science
  • 缩写词领域：Electronics

    以上为Short Channel Effect英文缩略词SCE的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
     英文缩略词SCE的扩展资料
  1. The model includes the substrate bias effect, the short channel effect and the relation between these two effects.
        它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
  2. It was also shown that the novel device could suppress the short channel effect, drain-induced barrier lowering effect.
        同时用实验结果表明，新结构器件能够有效抑制短沟道效应（SCE）、减小漏感应势垒降低效应（DIBL）等。
  3. An analytical subthreshold surface potential model for the DMG SOI MOSFET with high k gate dielectrics, which accounts for the short channel effect and the fringing field effect, has been developed.
        还研究了高k栅介质对DMGSOIMOSFET的影响，为高k栅介质DMGSOIMOSFET建立了表面势模型，模型中考虑了边缘电场效应和短沟道效应。
  4. Schottky source and drain junctions are a promising structure to minimize the MOSFET short channel effect.
        采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。
  5. The research results indicate that with the increase of the concave corner, the negative junction depth and the doping density of channel, the hot carrier effect immunity is enhanced; the threshold voltage increases and the short channel effect is suppressed.
        研究发现，随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高，器件的抗热载流子能力增强，阈值电压升高，对短沟道效应的抑制作用增强。

    上述内容是“Short Channel Effect”作为“SCE”的缩写，解释为“短通道效应”时的信息，以及英语缩略词SCE所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
    
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